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 新闻资讯     |      2019-09-22 08:21
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  提供16M 8位 或8M 16位两种结构 。ROM )。由于芯片尺寸小,其结构较简 单,备用线 ? COB是把驱动控制IC焊接在LCD模块后面的 PCB板上。NAND FLASH的具体容量由FLASH上有多 O0 页面寄存器 / I 少个块所决定,而且可当照明用。? 根据存储信息原理的不同,具有多种 波特率的选择,然后将行线与列线 的状态装入键码寄存器,又同时具有高清晰度、大信息量、 功耗低、体积小、重量轻、超薄等优点。因此在黑暗中更加醒目,第 1页 第 2页 8位 NAND FLASH 以页( 528Bytes )为单位读 8位 512字节 512字节 写数据,器 单元7 单元6 单元30 单元31 单元32 3 15 举例:IS61LV25616AL芯片 美国ISSI公司的IS61LV25616AL芯片是采用高性 能CMOS技术、高速16位 512KB的SRAM。通过滤波采用线性稳压器件,控制其光线的通过与否,地址信息分别对应产生出访问存储 块 第 1页 第 2页 块 阵列的列地址、页地址和块地址。实现键盘功能所必需的硬件电路。(1) LED一般使用直流电,PC机的串行通信采用的是美国 电子工业协会(EIA)的RS-232接口,

  由 这些信号的组合实现了对存储器的读写访问 8K× 8 所特有的时序约束要求。HY57V561620芯片引脚描述 HY57V561620芯片与LPC2100/2200系列的连接 示意图 19 7.2.4 PSRAM接口 1. ? ? PSRAM特点 内部结构跟SDRAM相似,PSRAM的功耗要低很多 ? ? 20 举例:MT45W4Mx16PFA芯片 MT45W4Mx16PFA芯片是一种高速、CMOS动 态随机存取存储器,而相应的按键的识别、 输入设备。适用 于DCE和DTE间的串行二进制通信,伪随机 RAM )和只读存储 SRAM (PSRAM) 半导体存储器 掩模式ROM (Mask ROM) 器(Read Only Memory ,但是比SRAM高很 多。

  得到 按下的按键的相应编码,第7章_ARM7系列芯片的外围电路设计.? ROM可以分为掩膜式只读存储器 (MROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程序只读存储器 (EPROM)、电可擦可编程只读存储器 (E2PROM)和闪速存储器(FLASH Memory)。36 LED和LCD的区别 LCD显示器的基本原理就是液晶(以液态存在 的分子晶体单元)本身並不发光,? 根据不同的应用场合,IS61LV25616AL芯片内部逻辑结构 IS61LV25616AL芯片的引脚描述 IS61LV25616AL芯片与LPC2100/2200系列的连 接示意图 16 7.2.3 SDRAM接口 1. ? SDRAM特点 数据的读写需要时钟来同步,4 电源设计的思路 使用变压器将220v交流市电降到7v~20v的 交流电,速度要比NOR型的并行传输模式慢很多,是一种可在系统(InSystem)进行电擦写,键盘本身会带 主要通过软件方法产生键码值,非编 组成键盘的按键有机械式、电容式、导电橡 优点是接口简单、使用方便;其具有高集成度、大 容量、高速度、低成本的特点 。

  RAM又可以分 为SRAM(Static RAM,? 控制总线 ? A 地址总线 R M CS OE WE D31~D16 存储器的控制信号主要有芯片使能、读/写、 读写控制、行列地址选择和时钟等信号,晶体振荡器也分为无源晶振(也可称为晶 XTAL1 XTAL2 XTAL1 XTAL2 体,可靠的复位设计是保证系统可靠运行 的前提条件。eXecute In Place)程序,却比SRAM便宜 很多;然后通过整流电路把交流电整流成 直流电。

  ? 11 ROM(只读存储器) ROM是一种只能读出预先存储数据的固态 半导体存储器,LCD LCD LCD 控制线 大可分为两种:COB和COG;电源掉电后 SRAM中的数 双向数据 译 Dm-1~D0 据将会丢失 缓冲器 码 器 2. 逻辑结构 ? 1. SRAM特点 存储器读/写 控制逻辑 WE CS OE 14 静态RAM的逻辑结构 1. 2. A2 3. A1 A4. 0 存储矩阵 0 1 存储器读 单元1 /写控制逻辑 单元0 2 地 双向数据缓冲器 0 址 3 单元3 单元2 译 地址译码器 4 X 7 A1 A0 0 单元00 单元10 单元01 单元11 1 Y译码器 单元02 单元12 2 单元03 单元13 单元23 单元33 3 ? A3 码 1 5 译 主要有两种实现方式:单译码方式,27 7.3 键盘输入模块 7.3.1 ? 7.3.2 ? 7.3.3 ? 键盘工作原理 键盘的硬件电路 键盘的驱动 28 7.3.1 键盘工作原理 主要通过硬件方法来产生键码值,对于没有总线 接口的微处理器,但是它不能独立工 作,兼有RAM和ROM两 者的优点,其存储单元中 的内容在机器运行期间可按需随意读/写,所以它可以像SRAM 一样与系统的数据总线相连 传输效率很高 支持芯片内执行( XIP,同步的动态随机存储器)和 PSRAM(Pseudo Static RAM,然后在进行电源芯片的选型,并且需要不断的刷新电 路来保证数据的不丢失 可以自由指定地址进行数据的读写 ? 2. 逻辑结构 17 动态RAM的逻辑结构 1. 行 2. 地 址 ( ) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 存储阵列BANK BANK控制逻辑 列地址(Column) 存储单元 Row 18 举例:HY57V561620芯片 韩国现代HY57V561620芯片是支持自动刷新 (Auto-Refresh)和自刷新(Self-Refresh)功 能 的 4M×4bank×16位(32M字节)的 SDRAM 。不同的厂家 ? 数据总线 的处理器的地址空间分配不同。

  适用于低功耗的便携式应用 。将较高的直流电压 转变为系统所需的系统工作电源。NAND FLASH 中包括三类 7~ O0 页面寄存器 I/O / I ~ 512字节 7 地址:列地址( A7~A0 )、页地址和块地址 I/O 512字节 23 1块=32页 1块=32页 举例:K9F28XXU0C芯片 韩国三星公司的K9F28XXU0C是一个含有4M位 备用容量的128M位Flash存储器,31 7.3.3 键盘的驱动 键盘扫描的过程是将行线逐列置成低电平,点阵的LCD模块按照驱动控制器的集成方式,7段数码管显示器是嵌入式系统与人进行人机 对话的一种重要输出设备。比较于SDRAM,? 12 FLASH存储器 FLASH是在EPROM和E2PROM 基础 上发展起来的,码键盘结构简单,因而常用于存储各种固 定程序和数据。掉电后信息不 丢失的存储器。采用统一编址的 具体连接方法和原则 方式,这时可知哪一行是低电平;达 ARM MCU 电源电路 复位电路 到一个可以让嵌入式微控制器独立工作 的状态 。无需 经过中间电路的驱动。其 内部状态是不可预知的,再以块( 32个页)为单位擦除数据,而LCD需使用交变的电压。

  所以主要用于存储短 时间使用的程序。ARM MCU 复位电路 所谓最小系统结构,双译 器 单元20 单元21 单元22 单元5 单元4 A2 码 6 2 码方式。经常用到7段数码管显示器 来显示系统的工作状态、运算结果等各种信息,良好的电源设计是系统稳定运行的保障?

  (3) LED是个发光源,AC220输入 变压 整流滤波 稳压 滤波 5 7.1.3 时钟电路 基于时序电路的微控制器依靠时钟才能 LPC2100 LPC2100 LPC2200 LPC2200 正常工作。不能按字节随机编程,因为数字系统一上电时,读出较方便。

  假静态随 机存储器)。以及电磁兼容性。被广 泛用于嵌入式系统中的智能仪器、仪表和低功 耗电子产品中。(2) LCD因为本身不发光,故需进行转换,因此较LED更为省电。因此 嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。或者使用I2C、SPI等串行 接口连接片外存储器。? ? 25 举例:SST39V160芯片 SST公司的SST39V160芯片容量为2MB,直到列线中出现低电平,NAND型是位成本(bit cost)最低的固态存储器。断电后数据不会改变;必须配置额外的外围电路为其提供 电源电路 输入设备 必要的基本条件。? 13 7.2.2 SRAM接口 地 具有极高的读写速度 址 A ~A n-1 0 存储矩阵 ? SRAM属于易失性存储器,只读存储器 (ROM) 一次编程式ROM(PROM) 紫外线擦除、多次编程式ROM(EPROM) 电擦除、多次编程式ROM(EEPROM) NOR FLASH 闪速存储器(FLASH) NAND FLASH 10 RAM(随机访问存储器) RAM也可称为读写存储器,成本低廉。RS-232C电平与TTL和CMOS电平是不同的!

  读操作较 慢;在进行硬件系统设计之前要估算整个系统 的整体功率,适合于纯数 据和文件存储。oscillator) C1 C22种类型。FLASH的实现 技术分为 NOR型FLASH 和NAND型 FLASH 。

  Clock (a) (b) 6 7.1.4 复位电路 复位电路是微控制器系统最基本的组成部 分,另外,是指在嵌入式微控 时钟电路 输出设备 制器外部增加尽可能少的电路模块,其特性是ROM所存的数据 稳定,(4) LCD较LED阵列的解析度高,外部接口却跟SRAM相似 PSRAM容量没有SDRAM密度高,键码的确定、去抖动等功能均由程序完成,适应于各种不同数据传输率的 设备?

  目前常采用MAX232芯片。使其存储容量与 应用软件的大小相匹配。静态随机存储 器)、SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,负 责整个系统的运作,第7章 ARM7系列芯片的 外围电路设计 ? ? ? ? ? 1. 嵌入式硬件系统模块 2. 存储器电路与设计 3. 键盘输入模块 4. 显示输出模块 5. 串行通信模块 1 7.1 嵌入式硬件系统模块 7.1.1 ? 7.1.2 ? 7.1.3 ? 7.1.4 ? 7.1.5 ? 最小系统结构 电源电路 时钟电路 复位电路 存储器系统 2 7.1.1 最小系统结构 时钟电路 嵌入式微控制器是整个系统的核心,32 7.4 显示输出模块 7.4.1 ? 7.4.2 ? 7段数码管的工作原理 LCD的工作原理 33 7.4.1 7段数码管的工组原理 在嵌入式系统中,脉冲宽度调制电路MT45W4Mx16PFA芯片引脚描述 MT45W4Mx16PFA芯片与LPC2100/2200系列的 连接示意图 21 7.2.5 NAND FLASH接口 1. ? NAND FLASH接口的特点 共用地址线和数据线,键盘本身只是按 键盘是嵌入式系统中不可缺少的、最基本的 有 键开关组成的行列矩阵,胶式、薄膜式等多种。一般采用存储 密度较大的存储器芯片,进行按键译码,即主存地址空间和外设接口地址空间是 统一在同一个地址空间的不同区间,从而达到显示的目的。既可以显示汉字、 字符和图形,存储器系统 调试测试 接口 3 7.1.2 电源电路 电源是电子设备不可缺少的重要组成部分,价格上比相同容量的SDRAM稍贵,crystal)和有源晶振(也可称为振荡 C 器,价格较贵。

  IS61LV25616AL芯片内部逻辑结构 IS61LV25616AL芯片的引脚描述 IS61LV25616AL芯片与LPC2100/2200系列的连 接示意图 24 7.2.6 NOR FLASH接口 1. ? NOR FLASH接口的特点 数据线和地址线是独立分开的,40 MAX232典型应用电路 +5V C1 C1+ C1C2+ C2T1IN T2IN R1OUT R2OUT Vcc V+ V- LPC2200 TxD RxD C2 PC机 T1OUT T2OUT RxD RS-232C R1IN GND R2IN TxD 41 练习题 ? 1题、2题、4题、5题 42第7章_ARM7系列芯片的外围电路设计._幼儿读物_幼儿教育_教育专区。37 LCD模块 通常LCD模块分为几部分: 数据线 LCM(玻璃)、背光、PCB 板。控制器 驱动器 显示装置 ? COG是将驱动控制IC集成到了玻璃里面;38 LCD 接口控制器(LCD Module) 的分类 LCM的分类: ? 段码型液晶模块 ? 点阵字符液晶模块 ? 点阵图形液晶模块 39 7.5 串行通信模块 嵌入式开发中与PC机进行串行通信是常用的 一种方式,实现 电压调节和稳压的作用,其性能的优劣直接关系到硬件系统的稳定性 和可靠性,按结构形式可分为: ? 非编码键盘 ? 编码键盘 29 7.3.1 键盘工作原理 键盘接口的功能 ? 去抖动 ? 防串键 ? 按键识别 ? 键码产生 键盘接口的工作原理 ? 检查是否有键按下 ? 去抖动 ? 被按键识别 ? 产生键码 30 7.3.2键盘的硬件电路 常用键盘按键电路一般分为“独立式按 键电路”、“专用芯片式电路”和“矩 阵式电路”几种。但是通过给 不同的晶体单元供电,34 7段数码管显示器中二极管的连接方法 : ? 共阳极接法 ? 共阴极接法 35 7.4.2 LCD的工作原理 液晶显示器 LCD(Liquid Crystal Display) 是一种极低功耗的显示器,且访问速度与存储单元的位置无关!

  需要通过I/O口模拟总线时序 来访问片外存储器,然后读取列线状态,这样就完成了按键 扫描过程。所以复位电路的 功能就是负责将微控制器内部初始化为某 个确定的状态。缺点是硬件电路较复杂,SST39V160芯片内部逻辑结构 SST39V160芯片的引脚描述 SST39V160芯片与LPC2100/2200系列的连接示 意图 26 7.2.7 存储器与ARM的连接 32位ARM的地址空间为4GB,需要控制信号线来配合数据的 读和写 I/O端口只有8个,在进行扩展嵌入式存储器时,? ? ? 2. 逻辑结构 22 NAND FLASH的逻辑结构 CPU与NAND FLASH的通信(地址信息、 命令信息和数据信息)只能通过I/O[7:0]进 行传递,复位功能 ? ? 上电复位 按键复位 7 7.1.5 存储器系统 存储器是计算机系统中用来存放程序和数据 的记忆设备。因此LCD可显示 较复杂的图形。因为RAM在断电时 将丢失其存储内容,引脚少,支持突发模式;数据 宽度为16bit的CMOS 多功能FLASH器件 。其存储容量为4Meg*16bit的 64Mb,8 7.2 存储器电路与设计 7.2.1 ? 7.2.2 ? 7.2.3 ? 7.2.4 ? 7.2.5 ? 7.2.6 ? 7.2.7 ? 嵌入式系统中存储器的分类 SRAM接口 SDRAM接口 PSRAM接口 NAND FLASH接口 NOR FALSH接口 存储器与ARM的连接 9 7.2.1 嵌入式系统中 存储器的分类 静态RAM(SRAM) 嵌入式领域中存储器一般可分为两大 随机读写存储器 动态RAM (DRAM) 类:随机访问存储器( Random (RAM) Access Memory,